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MSN12AD12-MP還(huan)有內外0.6V對比(bi)交(jiao)流(liu)(liu)電(dian)(dian)容，輸(shu)(shu)出的交(jiao)流(liu)(liu)電(dian)(dian)容能(neng)經由(you)分科電(dian)(dian)容器(qi)RFBH和(he)RFBL做好編寫程序，分離(li)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)器(qi)器(qi)需求最好閉合(he)到(dao)VOUT管腳(jiao)、FB管腳(jiao)和(he)VOSNS管腳(jiao)。熱烈規定(ding)二個熱敏(min)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)功率器(qi)的熱敏(min)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)功率值(zhi)在100Ω和(he)3.4kΩ彼(bi)此。舉(ju)個例子RFBH如何設置為976歐姆，輸(shu)(shu)出精度(du)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)才可以如等式1隨時核算(suan)，舉(ju)例輸(shu)(shu)入輸(shu)(shu)出交(jiao)流(liu)(liu)電(dian)(dian)壓的功率電(dian)(dian)阻(zu)(zu)如表1如圖(tu)所示

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MSN12AD12-MP能(neng)(neng)提(ti)供個模擬(ni)仿真鍵盤輸(shu)入(ru)管腳（TRK），支持(chi)于定位(wei)跟蹤(zong)另外(wai)一(yi)個個相電(dian)(dian)壓功能(neng)(neng)模塊或(huo)發送到 外(wai)部(bu)(bu)鏈接(jie)參考資料。當 外(wai)部(bu)(bu)鏈接(jie)相電(dian)(dian)壓走勢銜接(jie)到TRK時，它可(ke)作MSN12AD12-MP內容輸(shu)出額定電(dian)(dian)壓的(de)對比(bi)。FB電(dian)(dian)阻能(neng)(neng)夠充(chong)分(fen)考慮(lv)該對外(wai)部(bu)(bu)電(dian)(dian)阻數(shu)字信號，軟運行(xing)重設(she)被依賴。TRK搜索訊號就(jiu)能(neng)(neng)在0.3V到1.4V的(de)的(de)范圍之間。在初重啟時，TRK可(ke)以一(yi)開始(shi)敢達少于600mV，以切實保障通常(chang)做(zuo)工作。在這之后，能(neng)(neng)能(neng)(neng)將其設(she)置好(hao)為0.3V和1.4V相互之間的(de)一(yi)些值。

MSN12AD12-MP應有電(dian)(dian)(dian)功率良好(hao)(hao)的(de)（PG）輸出電(dian)(dian)(dian)壓(ya)。PG是MOSFET的(de)開漏。會按照上(shang)拉阻值器（應該為(wei)(wei)10kΩ）將PG相連接(jie)到VCC或(huo)一些不超3.6V的(de)間接(jie)相電(dian)(dian)(dian)流(liu)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)源。釋放進入(ru)相電(dian)(dian)(dian)流(liu)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)后，MOSFET導通，因在(zai)軟初始化(hua)準備好(hao)(hao)時候，PG被拉至GND。在(zai)FB線(xian)(xian)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)降可(ke)以達(da)到參考價值線(xian)(xian)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)降的(de)96%后，PG在(zai)0.8ms卡頓后被上(shang)漲。當FB線(xian)(xian)電(dian)(dian)(dian)阻降為(wei)(wei)學習線(xian)(xian)電(dian)(dian)(dian)阻的(de)80%或(huo)不符標稱(cheng)學習電(dian)(dian)(dian)壓(ya)降的(de)116%時，PG設定為(wei)(wei)低。PG只能有在(zai)新(xin)的(de)軟發動后后首被沖高(gao)回落(luo)。這樣搜索交流(liu)電(dian)(dian)(dian)源模塊電(dian)(dian)(dian)源是沒辦法為(wei)(wei)MSN12AD12-MP供電(dian)(dian)(dian)公司，則PG被鉗制在(zai)最低值，但是PG按照其(qi)上(shang)拉電(dian)(dian)(dian)阻值器連到到外鏈交流(liu)電(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)原。

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