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ADRF5026不是種非全反射、單極、雙擲（SPDT）微波射頻（RF）電開關，挑選硅方法的技術。

ADRF5026的次數(shu)比率為100 MHz至44 GHz，添加耗費(fei)遠超3.8 dB，防曬隔離霜(shuang)度為45 dB。ADRF5026滿足全關控制系統設(she)(she)計性，另外的兩個RF端(duan)口設(she)(she)置都出在消(xiao)毒(du)情形(xing)。ADRF5026用非條件反射結(jie)構設(she)(she)計，一個頻射端(duan)口處均里面端(duan)接至50Ω。

ADRF5026要+3.3 V和(he)-3.3 V的雙電源開(kai)關的電壓(ya)。ADRF5026選購相(xiang)輔相(xiang)成黑色金(jin)屬(shu)鈍化物(wu)半導(dao)體芯片/低壓(ya)低氯化鈉晶體管邏輯推理（CMOS/LVTTL）思維(wei)兼容調節(jie)。

ADRF5026與ADRF5027脈沖(chong)電(dian)流(liu)截(jie)止到手機版本管腳兼容(rong)，頻繁(fan) 時間(jian)范圍為(wei)9 kHz至44 GHz。

ADRF5026頻(pin)(pin)射(she)端口號(hao)一般 應(ying)用于兼容50Ω的性能(neng)指標指標特(te)性電阻值。重要性超長頻(pin)(pin)成品，頻(pin)(pin)射(she)動(dong)態數據網上營銷的特(te)性電阻值一致能(neng)進一大步不(bu)斷完善高(gao)頻(pin)(pin)率(lv)(lv)放(fang)入耗率(lv)(lv)和回(hui)波耗率(lv)(lv)性能(neng)指標。

ADRF5026建議選用20接插件、3 mm×3 mm、充分考(kao)慮(lv)RoHS原則的焊盤(pan)柵格(ge)陣列（LGA）封裝形式，都可以在-40°C至+105°C的溫(wen)差使(shi)用范圍內本職(zhi)工作。

基本特征

寬度經常率領域(yu)：100 MHz至44 GHz

非反射強度設定

低進到這一領域耗率

1.2 dB至18 GHz

1.7 dB至26 GHz

2.4 dB至40GHz

3.8 dB至44 GHz

長度分隔

55 dB至18 GHz

53 dB至26 GHz

50 dB至40GHz

45 dB至44 GHz

高發送線形度

P1dB:27 dBm典型(xing)示范值

IP3:53 dBm非常典型值(zhi)

高馬力外理

24 dBm加入損耗費配電線路

24 dBm隔離開方(fang)式

全關了心態把控好

無(wu)超低頻(pin)高壓發生器雜散表現

0.1 dB頻(pin)射安(an)全穩(wen)定日期：先進(jin)典(dian)型參考(kao)值40 ns

20接插件，3mm×3mm LGA封裝(zhuang)類(lei)型

管腳與ADRF5027兼容(rong)，底頻最(zui)遲版本升級

APP

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