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美國對中國加征34%的關稅稅率（那部分的商品是）及及全國對美的商品是加征34%的反制關稅稅率，馬上的提升了TI和ADI在華人茶葉市場的推銷料工費。

由TI和ADI在中華股票(piao)市場的廠品（μModule 減壓型電源穩壓器）本(ben)(ben)來(lai)面目依(yi)懶(lan)市場售價(jia)的優勢，出(chu)口關(guan)稅提升(sheng)幾率使得其車(che)輛(liang)市場售價(jia)競(jing)爭(zheng)激烈力(li)驟(zou)降，通(tong)常是在穩定制造鄰域，華人本(ben)(ben)土化(hua)制造廠商Cyntec天玄(xuan)的方式資源優勢將(jiang)更有嚴(yan)重。

將Cyntec天玄的MUN3C1BR6-SB電(dian)壓(ya)模塊圖片更換為LTM8061（ADI）或TPS82130（TI南京實(shi)驗(yan)儀器）時，需綜合性(xing)來考慮技術(shu)主(zhu)要參數(shu)、打包封裝(zhuang)方法(fa)、作用性(xing)狀及資(zi)金等(deng)主(zhu)觀(guan)因素。

MUN3C1BR6-SB電模塊電源性能指標

錄入電阻值區(qu)域：2.7V至5.5V

輸出精度電壓電流：1.2V

內(nei)容輸(shu)出功(gong)率：最(zui)高600mA

芯片封裝類型：4-SMD版塊(kuai)（尺寸(cun)2.5mm x 2.0mm x 1.1mm）

職能性能指標：

非防護隔離短路電流點（POL）電原模(mo)快

原帶電感，高模(mo)塊化度

扶持qq遠程開關按鈕和(he)節能降(jiang)耗(hao)傳統模式（PWM）

內置欠壓更改(gai)（UVLO）和過(guo)電流保護性(xing)（OCP）

ADI和TI的取代(dai)方式

按照MUN3C1BR6-SB的(de)因(yin)素(su)，可選取(qu)之下ADI和TI的(de)電壓摸(mo)塊：

1. ADI充當情(qing)況報告

規格型號：LTM8061（或類試μModule?電壓(ya)穩(wen)壓(ya)器）

核心數據評測：

輸進端(duan)電(dian)壓(ya)范疇：2.375V至20V（更寬）

內容輸(shu)出(chu)電(dian)流電(dian)壓(ya)：0.6V至5.5V（調節(jie)器）

輸出電壓電流量：上(shang)限(xian)2A（優(you)于(yu)MUN3C1BR6-SB）

芯片(pian)封裝行(xing)式：BGA或LGA（長寬可以稍大，但集成化度同等高）

性能形態：

內(nei)裝置電感、MOSFET和來(lai)補償電路設(she)計

可(ke)以(yi)支持遠距離按鈕和多(duo)類保護英文性能

高效(xiao)能率（最好95%）

其優勢：

ADI的(de)μModule?系類含有更大的(de)整合度和更寬的(de)鍵(jian)盤輸(shu)入(ru)/輸(shu)送標準，適(shi)于繁雜體系制定。

雄(xiong)厚的(de)保護好特(te)點和能調效果輸出(chu)功率，給出(chu)更(geng)高的(de)來設計敏銳性。

優勢英文：

成本(ben)低將(jiang)會(hui)超過MUN3C1BR6-SB。

裝封模式(shi)(shi)可能不兼容，需(xu)重復設計構思(si)PCB方式(shi)(shi) 。

2. TI代(dai)用實施方(fang)案(an)

款型(xing)：TPS82130（或比(bi)如Simple Switcher?電(dian)電(dian)源模塊(kuai)）

的關(guan)鍵(jian)性能參數做對比(bi)：

插(cha)入電阻位置：2.5V至5.5V（與MUN3C1BR6-SB相近）

輸入輸出電流電壓：0.6V至(zhi)5.5V（可調節）

內(nei)容輸出直流(liu)電：最高1A（高出MUN3C1BR6-SB）

封裝行式行式：WSON（尺寸(cun)3mm x 3mm x 1.6mm）

特點優點：

內部設置(zhi)有電感、MOSFET和(he)補上三極管(guan)

不支持遠程(cheng)管理(li)旋轉開關和節(jie)能公司(si)策(ce)略

便捷率（最(zui)低(di)94%）

競爭優(you)勢：

TI的(de)Simple Switcher?全系列(lie)更(geng)具高實際(ji)效果，比(bi)較適合費用(yong)比(bi)較敏(min)感(gan)型用(yong)。

打包(bao)封裝風(feng)格與MUN3C1BR6-SB比(bi)較非(fei)常接近，機會兼容總數PCB合理布局(ju)。

優劣勢分析：

輸送電流值和(he)芯片(pian)封裝長度略不超MUN3C1BR6-SB，需(xu)判斷會(hui)不需(xu)要滿(man)足環境約束。

復制可以

系統測試：

驗收版(ban)塊的插(cha)入/輸(shu)出精度(du)(du)額定電壓(ya)額定電壓(ya)規模、輸(shu)出精度(du)(du)額定電壓(ya)電流(liu)量和封(feng)裝主(zhu)要(yao)形式是(shi)不是(shi)也達到程序供(gong)給。

觀察(cha)摸塊的保養模塊（如過壓、過流(liu)、過溫保養）有(you)沒很全(quan)的。

評價(jia)控制(zhi)模塊的轉化率、溫性能和EMI特征參(can)數，切實保(bao)障其達(da)到裝置耍求。

成本價淺析(xi)：

更MUN3C1BR6-SB與(yu)ADI/TI代用計劃方案的平均(jun)價和BOM成本費。

要(yao)考慮到功能(neng)能(neng)夠(gou)受(shou)到的(de)設定優化體(ti)(ti)統和體(ti)(ti)統能(neng)不(bu)斷提升(sheng)，衡量資金與收益的(de)。

性能查驗：

假設封口形勢不同(tong)的，需之(zhi)后設汁PCB布局圖，并舉行手機信號(hao)詳細(xi)性研(yan)究(jiu)分析。

判定摸塊(kuai)的引腳表(biao)述和功用(yong)是否需要與(yu)MUN3C1BR6-SB兼容。

測試英文(wen)與查驗：

在(zai)實驗(yan)報(bao)告室生態(tai)中(zhong)對組(zu)件開(kai)始全方位測評(ping)，以及實用功能測評(ping)、能測評(ping)和是(shi)真的(de)嗎性測評(ping)。

認可(ke)新(xin)功能(neng)在實際上(shang)技術(shu)應用中的具體表現，有效(xiao)確保其足夠系統性供給。

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