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發(fa)布(bu)的時候:2025-04-18 16:46:24 手機瀏(liu)覽:491
LTM8061 和(he) TPS82130 是幾種真(zhen)對有所差異廣泛應用場景應用設計方(fang)案的(de)24v電源監管(guan)處(chu)理芯片,各(ge)自根據 ADI(亞德諾半導體材料)和TI(南京醫療儀器)。LTM8061或(huo)TPS82130或(huo)者都要(yao)被用于,主要(yao)是所以它們的在打出工作(zuo)電流(如2A-3A)、效(xiao)應、蒸發器效(xiao)果或(huo)寬度上沒有無法更高(gao)些效(xiao)果所需,還有仍然供應商鏈、利(li)潤大問題導致(zhi)供應不增強(qiang);而MUN3C1DR6-SB電源模(mo)快模(mo)快(Cyntec)能提(ti)拱挺大瞬時(shi)電(dian)流、挺高轉化率(lv)、更(geng)小質(zhi)量(liang)或選擇散(san)熱片理,互相兼(jian)容更(geng)意式(shi)化的(de)號碼調(diao)節基本功能,因(yin)此適(shi)合(he)更(geng)嚴厲的(de)產(chan)業、氣車(che)或輕便(bian)式(shi)式(shi)主設備操作(zuo)標準要求(qiu)。
系統參數值可比性
參(can)數(shu)表 | MUN3C1DR6-SB | LTM8061(ADI) | TPS82130(TI) |
鍵盤輸入(ru)相(xiang)電壓位(wei)置(zhi) | 2.7V至5.5V | 2.375V至20V | 2.5V至(zhi)5.5V |
輸出精度(du)電阻 | 進(jin)行固定1.2V | 0.6V至5.5V(可調式) | 0.6V至5.5V(可手(shou)動調節) |
轉換電流量(liang) | 最主要600mA | 極大2A | 很(hen)大1A |
封裝(zhuang)手(shou)段手(shou)段 | 4-SMD(2.5mm×2.0mm×1.1mm) | BGA或LGA(盡寸稍大) | WSON(3mm×3mm×1.6mm) |
愛護功能模塊 | 內置式(shi)欠壓重設(UVLO)、過流防護(OCP) | 預置電感、MOSFET和(he)補(bu)賞集成運放,支(zhi)持軟件(jian)遠程操(cao)作啟閉和(he)很多養(yang)護功用 | 內嵌電感(gan)、MOSFET和(he)補償(chang)金(jin)三極管,支(zhi)持系統跨網開關按鈕(niu)和(he)能源管理模試(shi),高(gao)效能率(lv)(最(zui)高(gao)的(de)94%) |

采用了(le)MUN3C1DR6-SB主機電(dian)源引(yin)擎代替(ti)LTM8061或TPS82130的核(he)心(xin)愿意包(bao)含利(li)潤優勢、供貨周期可靠性(xing)、小(xiao)化(hua)來(lai)設(she)計(ji)標準甚至實(shi)用功能(neng)自適應性(xing)。
一(yi)、代價優質
可以(yi)直接費用調低:MUN3C1DR6-SB的成(cheng)交單價取得不超LTM8061和TPS82130,愈加在成(cheng)文件批量進貨(huo)時,價格不同能夠達到30%-50%。
隱(yin)性成本價抑(yi)制:國(guo)內自主研發電源(yuan)模塊的(de)(de)進(jin)口(kou)稅(shui)和物流行業(ye)資(zi)金更低,且(qie)沒有需承擔(dan)國(guo)際(ji)國(guo)際(ji)知名品牌股權溢價,進(jin)1步壓縮(suo)的(de)(de)總(zong)資(zi)金。
二、購貨安全性
提(ti)供鏈危險(xian)因素逃避(bi):受國際上(shang)貨易撞擊(ji)和(he)病疫情等原因(yin)導致(zhi),TI和(he)ADI的供貨周(zhou)期(qi)公式減(jian)少至(zhi)20周(zhou)上(shang)面,而MUN3C1DR6-SB的出貨頻次維(wei)持在8-12周(zhou),且部份類型常(chang)備期(qi)貨庫存(cun)商品。
本(ben)地化可以(yi)支(zhi)持:目前中國供給商可帶來了很快速的(de)出錯(cuo)和技術(shu)應(ying)用蘋(pin)果支持,以減少因供給鏈終斷使得的(de)大(da)型項目延機風險控制。
三(san)、全自動(dong)化設汁(zhi)意愿
封裝(zhuang)厚度好處:MUN3C1DR6-SB選擇4-SMD封(feng)(feng)裝形(xing)式(2.5mm×2.0mm×1.1mm),較LTM8061的BGA裝封(feng)(feng)和TPS82130的WSON打包封(feng)(feng)裝更小(xiao),比(bi)較合適(shi)對環境追求嚴(yan)于的技(ji)術應用應用領域(如可配戴環保(bao)設備、輕工業傳調節器器)。
集(ji)成化度不斷提升:該電(dian)源(yuan)模塊內(nei)嵌電(dian)感、MOSFET和(he)補賞集成運放開發(fa),抽象化(hua)內(nei)圍(wei)集成運放開發(fa)開發(fa),少PCB占地面積負載(zai)。
四、功(gong)用(yong)支持(chi)性
效能運作適合(he):在放入交流電壓(ya)超范圍(2.7V-5.5V)、轉換相電壓(ya)(1.2V比較固(gu)定)和效果(最大(da)92%)等關鍵(jian)性因素上(shang),MUN3C1DR6-SB可充分考(kao)慮大(da)方(fang)面中低負(fu)債用(yong)需求分析。
保養功能(neng)模塊所(suo)覆蓋:內(nei)置式欠(qian)壓重設(UVLO)、過載(zai)保護區(OCP)和熱關斷工作,雖(sui)不是(shi)LTM8061率先,但已合并往往工藝(yi)級利用3d場景。
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