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AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系列表的十這部分。HiFET就是一種局部配備的申請主設備調試，應運于高壓變壓器、大工率、高非線性和帶寬應運。該部位的總主設備外部為4毫米左右。AM010MH4-BI-R專為高功效微波加熱應該用而結構設計，作業頻率達到3GHz。BI系統分為特殊性設定的陶瓷廠家二極管封裝，內彎或挺立的引線和活套蝶閥法蘭分為放入式進行安裝策略。進行包裝底端的活套蝶閥法蘭的同時當做電流的與地面、頻射的與地面和熱清算通道。這般HiFET滿足RoHS標準的。

表現形式

28V漏極(ji)偏壓

帶寬部門適(shi)應：DC–2.4GHz

達到了3 GHz的高(gao)頻(pin)率操作使用

高增(zeng)加收(shou)益：G=19dB@2.0GHz

高瓦數：P1dB=31dBm@2.0GHz

高直(zhi)線：IP3=46dBm@2.0GHz

合理(li)導熱的瓷磚包裝機

運用

光(guang)纖寬(kuan)帶選(xuan)用

直流(liu)電(dian)20至28V

遠(yuan)程本地(di)化環(huan)公路網絡

PC移動基站

WLAN、中繼器和超內網

C股票波段(duan)VSAT

國際航空光(guang)學溝(gou)通