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AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI系類的是一局部。HiFET是一個種區域適配的專利技術系統配備，在直流高壓、大額定功率和帶寬軟件。該器件的總系統外層為12.8公厘。AM032MH4-BI-R專為高耗油率紅外光適用而設計，運行幀率可以達到6GHz。BI系列的用到特色設計方案的瓷器封裝形式，打彎或直挺挺的引線和法蘭部片用到進到這一領域式裝設途徑。包裝設計下方的法蘭部片同一時間為直流變壓器跨接、rf射頻跨接和熱短信通道。這些HiFET適用RoHS標準的。

特征描述(shu)

28伏(fu)漏(lou)極偏壓

移(yi)動寬帶方(fang)面(mian)切換：DC–2.4GHz

到(dao)達6GHz的(de)中頻操(cao)作(zuo)方(fang)法

高增(zeng)益值：G=19dB@2GHz

高功效：P1dB=35dBm@2.0GHz

高曲線：IP3=50dBm@2.0GHz

有(you)效(xiao)率(lv)，散熱處理的瓷(ci)器打(da)包(bao)

APP

帶寬廣(guang)泛應用(yong)

油田20至28V

無(wu)線(xian)網絡(luo)本市環道路絡(luo)

PC信號(hao)塔

WLAN、中繼器(qi)和(he)超(chao)局域網共享(xiang)

C波(bo)長VSAT

航(hang)空航(hang)天網絡無線通信(xin)