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AM030WX-BI-R就是一種分立砷化鎵pHEMT，其總柵極大小為3.0毫米（mm）。它就是一個陶瓷制品雙包，許多可自動運行10次千兆赫BI芯片封裝類型用到非常規開發的陶瓷圖片芯片封裝類型，用到添加式配置方試，可能含有微彎（BI-G）或直（BI）引線。封裝類型上端的法蘭片一并作為電流一定接地系統、rf射頻一定接地系統和熱工作區。此部位滿足RoHS。

結構(gou)特征(zheng)

達10GHz的(de)高頻率運(yun)營

增益控(kong)制(zhi)=14dB，P1dB=33dBm，Eff=46%@4GHz

表皮貼裝

有用導熱的(de)下層

軟件應用

有線原生環路(lu)

安裝驅(qu)動(dong)圖像運(yun)放(fang)電路

蜂(feng)窩無線(xian)路由(you)電

中繼(ji)器

C頻譜(pu)VSAT

雷達天線