AM030WH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI一系列的一步分。HiFET也是種位置適配的專利局儀器分配,在低壓、大公率、高線型和帶寬技術應用。這位置儀器的總周邊為12厘米。AM030WH4-BI-R專為高工率微波通信應該用而裝修設計,辦公頻段可高達6GHz。BI題材主要包括特殊性設計制作的瓷質裝封,直或彎的引線和活套法蘭盤主要包括加入式使用方法。包裝設計側面的活套法蘭盤時當作整流地線、rf射頻地線和熱通暢。這般HiFET符合要求RoHS基準。
特征英文
·20至(zhi)32伏漏極偏壓
·高達mg6GHz的低(di)頻操作使(shi)用
·高收獲(huo):G=19dB@2GHz
·高(gao)電(dian)率(lv):P1dB=37dBm@2.4GHz
·高波形(xing):IP3=50dBm@2.4GHz
·高效導(dao)熱的瓷磚禮品盒(he)
利用
·寬帶網絡操作
·高(gao)壓20至32V
·無線網(wang)本地(di)人環公路網(wang)絡(luo)
·個人賬(zhang)戶算機移動基站
·WLAN、中繼器和超網段
·C股票波段VSAT
·空航光電(dian)子安(an)全可靠
中文名
徽波元電子器件封裝