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法蘭安裝衰減器

首要參數指標

法蘭(lan)盤安裝使用(yong)衰減器,高(gao)(gao)達250瓦(wa)，高(gao)(gao)達4 GHz,在(zai)不規則拉低RF警報(bao)的瓦(wa)數(shu)，時候雖(sui)然在(zai)比(bi)較大瓦(wa)數(shu)的條(tiao)件下(xia)也僅生成(cheng)比(bi)較小的漫反射。卡(ka)箍衰減器一般是(shi)用(yong)在(zai)大瓦(wa)數(shu)變大器中(zhong)，并在(zai)防護器連用(yong)作移動終端(duan)衰減器，在(zai)防護器中(zhong)幾率需求較拙(zhuo)劣另一個警報(bao)抽樣。相對于非(fei)常(chang)高(gao)(gao)的4 GHz的規律(lv)和非(fei)常(chang)高(gao)(gao)的250瓦(wa)的瓦(wa)數(shu)，條(tiao)件dB值是(shi)1、2、3、4、5、6、10、20和30。別設計的可不同追求提供數(shu)據.

品牌：MACOM

產品詳情簡介簡介

法蘭盤的安裝衰減器

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)	Figure
1ANA250	250	1	AlN	Thick	1.250	0.500	0.170	4
2ANA100	100	2.3	AlN	Thick	0.800	0.230	0.105	4
2ANA150	150	1.9	AlN	Thick	1.250	0.500	0.105	4
2ANA250	250	2.3	AlN	Thick	1.250	0.500	0.170	4
3ANA100A	100	3	AlN	Thin	0.975	0.250	0.105	4
HPA100	100	0.5	BeO	Thick	1.250	0.500	0.170	3
	10	4	BeO	Thin	0.300	0.200	0.105	1
	100	0.5	BeO	Thin	1.250	0.500	0.170	3
	20	4	BeO	Thin	0.515	0.250	0.105	2
	50	1	BeO	Thin	0.975	0.375	0.170	3