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CHA3656-FAB是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。

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該(gai)電路設計主要包括pHEMT加工過(guo)程研制，柵極時間為(wei)0.25μm，經過(guo)基(ji)鋼(gang)板(ban)的通孔，廢氣橋和電子束柵神(shen)行者刻技能(neng)研制。

它以外層(ceng)貼(tie)裝封口包裝可以提供。