CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該(gai)電(dian)(dian)路原(yuan)理分為標準化的pHEMT加工過程制造技術:柵極厚度0.25μm,完(wan)成基鋼(gang)板(ban)的通孔,熱空氣橋(qiao)和電(dian)(dian)子束柵星空刻。
紅外光元配件
CHA3666-99F 放大器– LNA
頻射帶寬的配置(GHZ): 6 - 17增益控制(dB):21增益控制同軸度(dB):0.5燥聲指數(dB):1.8P-1dB導出(dBm):17進貨貨期:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該(gai)電(dian)(dian)路原(yuan)理分為標準化的pHEMT加工過程制造技術:柵極厚度0.25μm,完(wan)成基鋼(gang)板(ban)的通孔,熱空氣橋(qiao)和電(dian)(dian)子束柵星空刻。