CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該集成運放(fang)采用了要求(qiu)的pHEMT技術開發(fa):柵(zha)極時長(chang)0.25μm,實現基材的通孔,新鮮空(kong)氣橋和電(dian)子技術束柵(zha)流星刻。
它以集(ji)成ic樣式展示 。
微波通信元電子元件封裝
CHA2190-99F 放大器(qi)– LNA
rf射頻下行帶寬(GHZ):20 - 30增加收益(dB):15增益控制同軸度(dB):0.5燥音標準值(dB):2.2P-1dB輸入輸出(dBm):11定貨交貨期:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該集成運放(fang)采用了要求(qiu)的pHEMT技術開發(fa):柵(zha)極時長(chang)0.25μm,實現基材的通孔,新鮮空(kong)氣橋和電(dian)子技術束柵(zha)流星刻。
它以集(ji)成ic樣式展示 。