所述CHA5266-FAB是在無(wu)引線(xian)外層上的一級(ji)單支(zhi)砷化鎵中電(dian)機功率放小器裝有密封膠鋁合金(jin)陶瓷圖片6x6mm2包。
它結構(gou)設計代替從軍事(shi)到(dao)商業區通(tong)信(xin)網軟件(jian)的多應(ying)用領域。
該(gai)集成運放按照pHEMT工(gong)序制(zhi)(zhi)作(zuo)(zuo)業高(gao)技術(shu),柵(zha)極總長為(wei)0.25μm,確認基材的通(tong)孔,空氣質量橋(qiao)和手機束柵(zha)幻影刻高(gao)技術(shu)制(zhi)(zhi)作(zuo)(zuo)業高(gao)技術(shu)。
它(ta)以達到RoHS的SMD芯片封裝帶來(lai)。
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微波通信元功率器件