CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該成品為汽車雷達和中國移(yi)動等各(ge)種類型RF電壓app供應(ying)代用和光纖寬帶解決處理預案。
該控制(zhi)電路是在SiC襯底上利用0.25μm柵長的GaN HEMT新(xin)技術(shu)生產制(zhi)造的。
它(ta)以裸(luo)存儲(chu)芯片組(zu)織形(xing)式提起,同時必(bi)須外(wai)鏈配備集成運放。
微波射頻元零件封裝
CHK9013-99F 氮化(hua)鎵功(gong)率晶體管
Glin(dB)@平率(GHz): 18 @ 6作業規律(GHz): 最好八個供大于求輸出(W): 88PAE(%)@頻率(GHz): 65 @ 6進貨交貨:3-4周CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該成品為汽車雷達和中國移(yi)動等各(ge)種類型RF電壓app供應(ying)代用和光纖寬帶解決處理預案。
該控制(zhi)電路是在SiC襯底上利用0.25μm柵長的GaN HEMT新(xin)技術(shu)生產制(zhi)造的。
它(ta)以裸(luo)存儲(chu)芯片組(zu)織形(xing)式提起,同時必(bi)須外(wai)鏈配備集成運放。