一区二区三区欧美-亚洲午夜精品-一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ180AaSEB  內部匹配的GAN功率晶體管
關鍵性技術指標

CHZ180AaSEB  內部匹配的GAN功率晶體管

微波射頻上行寬帶(GHz): 1.2-1.4小4g信號增益控制(dB):20工作效率(W):200關聯增加收益(dB): > 14P-1dB打印輸出(dBm):-PAE(%): 52進貨交貨:3-4周

品牌:UMS微波

廠品祥情講述

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

十分(fen)的(de)最適(shi)合激光脈沖汽車雷(lei)達利(li)用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的(de)GaN HEMT加工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝(yi)上給出的(de)。它源(yuan)于準MMIC技術水(shui)平。

它用于封(feng)好卡箍瓷磚合金材料電源模塊封(feng)裝,可(ke)給予(yu)低寄身和低導(dao)熱系(xi)數。