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CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管

比較重要性能

CHZ015AaQEG 內部匹(pi)配的GAN功率晶體管

頻射下行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小表現收獲（dB）：16電機功率（W）：15相關的增益控制（dB）： > 14P-1dB工作輸出（dBm）：-PAE（％）： > 55定貨貨期：3-4周

物料寶貝詳情簡紹

CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它(ta)為(wei)L股(gu)票波(bo)段的(de)所有RF最(zui)大功(gong)率(lv)選用提高了(le)聯通寬帶克服措施。該電源線路尤其比較合適輸入脈沖聲納軟件應用。

CHZ015AaQEG是(shi)在0.5μm柵長(chang)的GaN HEMT的工藝(yi)上推出的。它立(li)于準MMIC方(fang)法(fa)。

它以達到RoHS的SMD封(feng)裝形式打造。