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EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管（0.15μm pHEMT）技術。

澆口長(chang)度為(wei)120μm，0.15納米。T形鋁鎂合金平板閘門享有(you)低內阻和好品質的能信性(xing)。

該電子元器件(jian)表明出很高(gao)的(de)跨導，然而形(xing)成(cheng)很高(gao)的(de)工作頻率和低燥聲性。

它(ta)以心片(pian)組織形式提(ti)供了，有按照孔連入(ru)的源極(ji)，僅(jin)需約束柵線和漏極(ji)線。