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JP503AS
JP503AS
比較重要性能指標

JP503AS率(GHZ):2.0 - 2.3公率(W):25回波不足(dB):20.8導入消耗的資金(dB):0.30


品牌:Anaren

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JP503AS是一個種低狀態,高機械能的3dB分層交叉耦合器,不易采用,手工營造友誼的漆層布置封裝類型。它是為W-CDMA和的3G采用而構思的概念的。JP503AS專為不平衡量調大器、可變氣門正時移相器和衰減器、低噪音風機污染調大器、訊號分發而構思的概念,是充分滿足移動工業企業對更小設計印刷控制集成電路板和高機械能細則要求的人生理想緩解情況報告。所需要的零部件以經過堅持原則的監定測試,他們是采用熱開裂細則值(CTE)的原物料手工營造的,哪些原物料與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等較為常見基面材料兼容。生產制造6個非常符合RoHS細則的浸錫面磚。


JP503AS癥狀:?2.0–2.3千兆赫。?3G幀率?低消耗的資金?高屏蔽度?90°正交?外觀貼裝?磁帶和法杖?無鉛?100%軟件測試