AM025WN-BI-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總大小為2.5mm。它就是個淘瓷打包封裝,運轉規律達到8千兆赫。BI型號適用特殊化方案的陶瓷廠家芯片封裝,適用放到式的安裝方案,代有屈曲(BI-G)或直(BI)絞線。裝封頂端的活套法蘭一同當作電流一定與地面、頻射一定與地面和熱路通道。此地方合乎RoHS。
功能
達到了8GHz的高(gao)頻進行操作(zuo)
收(shou)獲=16 dB,P5dB=40 dBm,PAE=52%,漏極=56%@3 GHz
外表貼裝
有(you)效果熱量散發的下(xia)層社會(hui)
利用
高動態展示收(shou)到器
蜂窩wlan基(ji)站天線
寬帶網和窄帶變大器
預警雷(lei)達
檢(jian)測器材(cai)
軍事
干涉器
常常
紅外光元器材