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AM012WN-BI-R一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總橫向為1.25豪米。它是在個淘瓷雙包操作方法高達獨角獸10千兆赫。BI全系列選取特出的設計的瓷質芯片封裝，選取內嵌式連接方案，帶著耐折（BI-G）或直（BI）絕緣線。封裝形式低部的法蘭部時候用到直流電源接地系統系統、頻射接地系統系統和熱區域。此那部分滿足RoHS。

特征描述(shu)

高至10GHz的低頻實(shi)際(ji)操(cao)作

增(zeng)益(yi)值=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏(lou)極=55%@2.8ghz

單(dan)單(dan)從(cong)表面貼(tie)裝

能夠，散熱處理的框架

應該用

高信息(xi)接收(shou)入器

蜂窩wlan基站設備

聯通寬帶(dai)(dai)和窄帶(dai)(dai)變成器

預(yu)警雷(lei)達(da)

測量儀議器

軍事科學

干涉器