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用到具備有單獨柵極偏置的控制的并行執行單晶體管的GaN HEMT變成器的曲線提升

發布了準確時間：2018-05-04 13:53:07     搜素：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：在使用具備著獨立空間柵極偏置掌握的串聯晶胞管的GaN HEMT放小器的非線性改善。 GaN HEMT享有較高的打出馬力溶解度和較寬的帶寬的配置高效率。可，GaN HEMT的曲線基本特征地比GaAs元元件的曲線更差。此文提供了種簡單易行的技術來增長GaN HEMT的曲線度。所提供的技術是將元元件平均分配與孤立管控的柵極偏置電壓電流串聯的許多子單園，最后將馬力合并成子單園打出。原行拖動器..
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