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MABC-001000-DPS00L是一種款低功率偏(pian)置抑制(zhi)器(qi)(qi)，還(huan)可以為被測(ce)電(dian)(dian)(dian)子元件(jian)（DUT）提(ti)高適(shi)合的(de)的(de)柵(zha)極(ji)電(dian)(dian)(dian)流(liu)線(xian)電(dian)(dian)(dian)壓和輸(shu)入(ru)脈沖(chong)漏(lou)極(ji)電(dian)(dian)(dian)流(liu)線(xian)電(dian)(dian)(dian)壓偏(pian)置。適(shi)宜(yi)的(de)DUT涵蓋耗(hao)掉型GaN（氮(dan)化鎵）或GaAs（砷化鎵）馬(ma)力增加器(qi)(qi)或HEMT集成電(dian)(dian)(dian)路芯片。該功能還(huan)出具偏(pian)置排列，從而除非是產生(sheng)(sheng)(sheng)負柵(zha)極(ji)偏(pian)置額定的(de)電(dian)(dian)(dian)壓，因此難以將脈沖(chong)激光漏(lou)極(ji)額定的(de)電(dian)(dian)(dian)壓增加到(dao)DUT。本數據資料手則的(de)應(ying)(ying)運(yun)環節(jie)將提(ti)供怎樣(yang)為以內(nei)兩(liang)個(ge)人應(ying)(ying)運(yun)構建該控制(zhi)器(qi)(qi)：應(ying)(ying)運(yun)高級設置1：巧(qiao)用電(dian)(dian)(dian)磁(ci)漏(lou)極(ji)偏(pian)置固定的(de)負柵(zha)極(ji)偏(pian)置。技術(shu)應(ying)(ying)用頁(ye)面設置2：擁有(you)電(dian)(dian)(dian)磁(ci)發生(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)漏(lou)極(ji)偏(pian)置的(de)電(dian)(dian)(dian)磁(ci)發生(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)負柵(zha)極(ji)偏(pian)置。這五(wu)種軟件(jian)選(xuan)擇項都將選(xuan)擇外觀(guan)三極(ji)管和p溝道馬(ma)力MOSFET。

特色

•  任何人上電/跳電編碼序列的穩進GaN保護區
•  柵極偏置輸出電壓交流電= 50 mA，采用到輕型RF壓縮成
•  低工作頻率<100 mW
•  任務= 500 ns總電源開關變換用時
•  6.60 x 22.48 mm2封口，帶1 mm行距SMT引線
•  各種I / O表層的30 dB基本特征EMI / RFI減弱
•  第三方MOSFET按鈕開關帶動的漏極串入輸出電壓功率= 200 mA
•  體現(xian)了單脈沖(chong)漏(lou)極(ji)偏壓的(de)確(que)定柵(zha)極(ji)。額外添(tian)加版塊禁止門脈沖(chong)信號
•  包含RoHS *標準單位，兼容260°C出液焊

• 正24v電源電流電壓：50 
• 正電原電流值：14 mA
• 負電瞬時電流：-3 mA