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CGHV1F025S是(shi)一款無與倫比(bi)的氮化鎵（GaN）高(gao)(gao)電(dian)子遷移(yi)率晶體管(guan)（HEMT），專為(wei)高(gao)(gao)效率，高(gao)(gao)增益(yi)和寬(kuan)(kuan)帶寬(kuan)(kuan)功(gong)能而(er)(er)設計(ji)。該(gai)器(qi)件(jian)可(ke)用于L，S，C，X和Ku波段放大器(qi)應用。數據手冊(ce)規格基于X-Band（8.9 - 9.6-GHz）放大器(qi)。CGHV1F025S采用40伏軌(gui)道電(dian)路，采用3 mm x 4 mm表面貼裝雙扁(bian)平無引(yin)線（DFN）封裝。在(zai)功(gong)耗降(jiang)低的情(qing)況(kuang)下，晶體管(guan)可(ke)以在(zai)低于40V的電(dian)壓下工作至低至20V的VDD，從而(er)(er)保持高(gao)(gao)增益(yi)和高(gao)(gao)效率。