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說明
AMCOM的AM005WN-BI-R一個個分立的GaN/SiC HEMT，總門寬為0.5亳米。它一個個陶瓷圖片制品封裝類型，極限事情12千兆赫。Bi類別用到特色設計制作的陶瓷圖片制品封裝類型，帶有變形（Bi-G）或直（Bi）引線，用到放入式按照玩法。包邊側的卡箍而且當作電流一定的接地、頻射一定的接地和熱檢修通道。本部份具有RoHS。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏極=56%@3GHz
表面安裝
合理有效排熱的表層

應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
干涉機

示意圖