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CGHV96100F2高熱效率100W熱效率放小器 CREE外盤

上架時長：2019-02-22 10:24:49     打開網頁：2633

100W，7.9 - 9.6GHz，50Ω，插入/輸出的相配，GaN HEMT效率調小器



Wolfspeed的(de)(de)CGHV96100F2是(shi)氫氟酸處理硅(gui)(gui)（SiC）襯(chen)底上的(de)(de)氮(dan)化鎵(jia)(jia)（GaN）高(gao)電(dian)(dian)子器(qi)材(cai)遷徙(xi)率(lv)(lv)晶(jing)胞管（HEMT）。與(yu)某些工藝(yi)比(bi)起(qi)，這樣GaN室內符合（IM）FET具備著漂亮的(de)(de)電(dian)(dian)機(ji)功率(lv)(lv)額外(wai)增加生產(chan)率(lv)(lv)。與(yu)硅(gui)(gui)或砷(shen)化鎵(jia)(jia)相較于，GaN涵蓋優(you)良的(de)(de)性(xing)能參數，涵蓋挺高(gao)的(de)(de)擊穿(chuan)端(duan)電(dian)(dian)壓(ya)端(duan)電(dian)(dian)壓(ya)，挺高(gao)的(de)(de)過飽和(he)(he)(he)網絡漂移轉速和(he)(he)(he)挺高(gao)的(de)(de)導(dao)電(dian)(dian)率(lv)(lv)。與(yu)GaAs硫化鋅(xin)管對(dui)比(bi)，GaN HEMT還可以提供更(geng)好的(de)(de)工作電(dian)(dian)壓(ya)導(dao)熱系數和(he)(he)(he)更(geng)寬的(de)(de)帶寬的(de)(de)配置。該IM FET主要采用(yong)金屬制(zhi)/瓷磚法蘭盤封裝，還具有更(geng)優(you)的(de)(de)電(dian)(dian)器(qi)設備和(he)(he)(he)性(xing)溫能。

特征

  • 145 W POUT典型案例值

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV96100F2 1周 320
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基線的(de)輸出(chu)額定(ding)功(gong)率 100W
選用 Lk線(xian)(xian)/ Sk線(xian)(xian)/ Xk線(xian)(xian)/ Ck線(xian)(xian)/ Kuk線(xian)(xian)
舉例(li)的(de)最大功率(lv)追加(jia)高效率(lv)PAE 45％
類型瓦數（PSAT） 145瓦(wa)
工作(zuo)效(xiao)率增(zeng)加(jia)收益 10聲音(yin)頻率(lv)
運行電(dian)流(liu)電(dian)壓 40 V
頻(pin)次(ci) 7.9 - 9.6 GHz
封(feng)裝類型的 輪緣
內部(bu)一致 是 - 50Ω

示意圖


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