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HMC8108是一個款狹窄型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單單片機電源芯片徽波整合電線(MMIC)同相正交(I/Q)低躁音轉型器，使用合乎RoHS準則的陶瓷廠家無鉛單片機電源芯片質粒封裝類型。HMC8108將標準為9 GHz至10 GHz的微波射頻(RF)進入手機的警報轉型為輸送相對定位60 MHz具代表性單端中頻(IF)手機的警報。該電子元件保證13 dB的小手機的警報轉型收獲、2 dB的躁音常數和20 dBc的鏡像軟件抑止性能指標。

HMC8108采用低噪聲放大器，后接由有源LO緩沖放大器驅動的鏡像抑制混頻器。該鏡像抑制混頻器使得低噪聲放大器之后無需使用濾波器，并可消除鏡像頻率下的熱噪聲。它具有I/Q混頻器輸出，所需外部90°混合型器件用于選擇所需邊帶。立維創展 ADI現貨交易HMC8108為混(hun)合(he)型鏡像抑制混(hun)頻器、下變頻器組件的小(xiao)型替代器件，可(ke)以使(shi)用(yong)表貼制造(zao)技術(shu)。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC8108LC5 HMC8108LC5TR	9 GHz至10 GHz，X頻段、GaAs、MMIC、低噪聲轉換器	現貨	129

HMC8108應用

• 點到點及點到多點無線電
• 軍用雷達

• 衛星通信

HMC8108優勢和特點

• 轉換增益：13 dB（典型值）
• 鏡像抑制：20 dBc（典型值）
• 噪聲系數：2 dB（典型值）
• 針對1 dB壓縮的輸入功率：-4 dBm（典型值）
• 輸入三階交調截點：6 dBm（典型值）
• 輸出飽和功率：10 dBm（典型值）
• IF端口LO泄漏：-20 dBm（典型值）
• RF端口LO泄漏：-37 dBm（典型值）
• 32引腳、5 mm × 5 mm、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝

HMC8108結構圖