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HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻(pin)器(qi)(qi)，工作頻(pin)率范圍為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器(qi)(qi)件(jian)提供 15 dB 的(de)(de)(de)小信號轉換增益，以及 22 dBc 的(de)(de)(de)邊(bian)帶(dai)(dai)抑(yi)制(zhi)。HMC6505A 在可(ke)變增益放大器(qi)(qi) (VGA) 之(zhi)前使用同相和正交 (I/Q) 混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)，該(gai)混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)由(you)主動本地振蕩器(qi)(qi) (LO) 驅動。提供 IF1 和 IF2 混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)輸入，并需(xu)要采用外部 90° 混(hun)合(he)模式選擇(ze)所需(xu)的(de)(de)(de)邊(bian)帶(dai)(dai)。I/Q 混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)拓(tuo)撲結構減(jian)少了對不必要的(de)(de)(de)邊(bian)帶(dai)(dai)進行過濾(lv)的(de)(de)(de)需(xu)要。HMC6505A 是混(hun)合(he)式單邊(bian)帶(dai)(dai) (SSB) 升頻(pin)器(qi)(qi)組件(jian)的(de)(de)(de)小型替代(dai)方案，它可(ke)以使用表面安裝制(zhi)造技(ji)術，這消除了對引(yin)線鍵合(he)的(de)(de)(de)需(xu)要。

HMC6505A應用(yong)

• 點到點和單點對多點無線電
• 軍用雷達、電子戰 (EW) 和電子智能 (ELINT)
• 衛星通信

• 傳感器

HMC6505A優勢和特點

• 轉換增益：15 dB（典型值）
• 邊帶抑制：22 dBc（典型值）
• 增益最大時的輸出 P1dB 壓縮：22 dBm（典型值）
• 增益最大時的輸出 IP3：35 dBm（典型值）
• LO 到 RF 隔離：4 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔離：9 dB（典型值）
• RF 回波損耗：20 dB（典型值）
• LO 回波損耗：10 dB（典型值）
• IF 回波損耗：20 dB（典型值）
• 裸焊盤，5 mm × 5 mm，32 端子，無引線芯片載體封裝

HMC6505A結構圖