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發布新聞時刻:2018-07-09 10:26:06 查看(kan):1842
NPT2010 GaN HEMT一(yi)款針對于DC-2.2 GHz工作(zuo)中SEO優化(hua)的(de)寬帶(dai)網單晶體管。該集成電路芯片設(she)計構思在連(lian)續不斷波,激光脈沖(chong)和非線性上班,打(da)出工作(zuo)功率為100W(50 dBm),應(ying)用化(hua)工業(ye)規范(fan)金(jin)屬質瓷器(qi)二極管封裝,帶(dai)螺母法蘭(lan)部。有(you)關于額定負(fu)載牽引(yin)器(qi)動態數(shu)據和非波形模式(shi)化(hua),若您有(you)其它困惑,請搞好關系(xi)我(wo)門立(li)維(wei)創展,我(wo)門會盡非常(chang)大奮力謝(xie)謝(xie)您項目。
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MACOM
NPT2010
氮化鎵48V,100W,DC-2.2 GHz HEMT
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NPT2010應用