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HMC344ALP3E有的是款聯通寬帶、非反射面式、單刀四擲(SP4T)轉換開關按鈕，進行砷化鎵(GaAs)金屬制半導體設備場滯后效應尖晶石管(MESFET)方法營造。該轉換開關按鈕體現了高隔開、低進到這一領域損耗量和片內端接隔開串口。 該轉換開關主要采用?5 V至?3 V負主機電源電阻值(VEE)做工作，需求二個負邏輯思維設定電阻值。 HMC344ALP3E內嵌片內二進制2:4火車配電線路解密器，確認五條原理導入火車配電線路提高原理操控。 HMC344ALP3E按照3 mm × 3 mm、16引腳LFCSP芯片封裝，做工作次數領域為0.1 GHz至8 GHz。 若您有其中的問題，請鏈接你們立維創展，你們會盡最多勤奮努力為您業務。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC344ALP3E HMC344ALP3ETR	0.1GHz至8 GHz、GaAs、非反射式SP4T開關	現貨	98

HMC344ALP3E適用

• 寬帶電信系統
• 光纖產品
• 開關濾波器組

• 低于8 GHz的無線基礎設施

HMC344ALP3E優勢和特點

• 寬帶頻率范圍：0.1 GHz至8 GHz
• 非反射式50 Ω設計
• 低插入損耗：1.7 dB（6 GHz時)
• 高隔離度：36 dB（6 GHz時）
• 高輸入線性度：250 MHz至8 GHz
  • P1dB：28 dBm（典型值）
  • IP3：44 dBm（典型值）
• 集成式2:4線路解碼器
• 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝
• ESD HBM額定值：250 V（1A級）

HMC344A使用防(fang)務和航天(tian)部航天(tian)部應用領域（AQEC的標準）

• 下載HMC344ATCPZ-EP數據手冊
• 軍用溫度范圍（?55℃至+125℃）
• 受控制造基線
• 唯一封裝/測試廠
• 產品變更通知
• 認證數據可應要求提供

HMC344ALP3E結構圖