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Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提供(gong)多種多樣的分(fen)立晶體(ti)管組(zu)件(jian)。QORVO分(fen)立晶體(ti)管GAAS PHEMT接受用(yong)(yong)戶在設計低噪聲放大器(LNA)電(dian)源電(dian)路時完全控(kong)制。各類分立FET提(ti)供低至0.15dB的NF（最小值），最高可采用(yong)(yong)22GHz。還提(ti)供匹配晶(jing)體管，特別適合平衡LNA設計。

重點基本特征

極低(di)噪(zao)音(yin)公式——低(di)至(zhi)0.15dBNF（超(chao)小值(zhi)）

出具裸片或打包封裝組織形式

應用這個領域

通(tong)訊網(wang)絡移動(dong)通(tong)信基(ji)站

國防科技通信技術

點到點(PtP)移動電

蘇(su)州(zhou)市立(li)維創展新材料技(ji)術是QORVO的(de)供應商(shang)(shang)商(shang)(shang)，一般(ban)提供了QORVO耗(hao)油率(lv)調小器，   IC和裸IC芯片，立(li)維創展享有固定(ding)的(de)提供推廣渠道，定(ding)價優缺點，并(bing)過(guo)量配備現貨(huo)交(jiao)易銷量，歡迎(ying)語咨詢公司。

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