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CREE的CMPA0060002是氮化鎵(GaN)(HEMT)單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比更具優越的性能指標；包括更好的擊穿電壓；飽和電子漂移速度更好，傳熱性更好。與相比Si和GaAs與晶體管相比，CREE GaN MMIC功率(lv)(lv)放大器還(huan)提供更好的(de)功率(lv)(lv)密度和更寬的(de)帶寬。CREE GaN MMIC功率放(fang)大器(qi)選用(yong)分(fen)布式（行波）放(fang)大器(qi)設計方法；可以在極小的空(kong)間內保持(chi)極寬(kuan)的帶(dai)寬(kuan)。CREE GaN MMIC功率放(fang)大(da)器提供帶銅鎢(wu)散熱器的(de)裸片和(he)旋入式封裝形式。

共同點

17dB小移(yi)動信號(hao)收獲；

3W傳統PSAT；

工作任務的(de)電壓高至28V；

高損壞直流電壓；

高溫任務；

應用(yong)科(ke)技領(ling)域(yu)科(ke)技領(ling)域(yu)

加(jia)寬帶(dai)圖(tu)像放(fang)大器電(dian)路；

光纖傳輸推動器；

公測設施設備；

EMC變成器win7變頻器；

蘇州市(shi)立(li)維創展科技信息是CREE的(de)(de)生產商(shang)商(shang)，CREE廠品富(fu)含：熒光(guang)(guang)二級(ji)管處理器，照(zhao)明工作熒光(guang)(guang)二級(ji)管，背光(guang)(guang)熒光(guang)(guang)二級(ji)管，電率(lv)控制開關電子器件，移(yi)動電率(lv)裝備和(he)移(yi)動電裝備的(de)(de)熒光(guang)(guang)二級(ji)管。CREE歸功于(yu)優越的(de)(de)提供(gong)公(gong)司，長年配備存儲(chu)，以滿(man)意我國市(shi)場中(zhong)的(de)(de)業務(wu)需求，歡迎語服務(wu)咨(zi)詢。

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