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Qorvo的QPD1025是SiC HEMT上的1800 W（P3dB）分立GaN晶體管，L 頻段1800W雙通道射頻晶體管，工作(zuo)頻率范圍為1.0至1.1 GHz。封(feng)裝(zhuang)內(nei)的輸入預匹(pi)配(pei)使外(wai)部(bu)電(dian)路板易于匹(pi)配(pei)并節省電(dian)路板空間。該器(qi)(qi)件(jian)采(cai)用行業標(biao)準氣腔(qiang)封(feng)裝(zhuang)，非常適用于IFF，航空電(dian)子設備和(he)測試儀器(qi)(qi)。該器(qi)(qi)件(jian)可以支(zhi)持(chi)CW和(he)脈沖操(cao)作(zuo)。

典型應用

主要特征

• 概率位置：1.0到1.1 GHz
• 輸出電壓輸出阻抗（P 3dB 1）：1862瓦特
• 曲線增益值：22.5 dB
• 非常典型PAE 3dB 1：77.2％
• 事業電壓電流：65 V.
• CW和Pulse水平