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UMSmm毫米波內部配備GAN輸出功率結晶管

更新時段:2022-04-13 16:54:30     搜素:964

GaN材(cai)料(liao)(liao)是第三代半導體(ti)(ti)(ti)的(de)典(dian)型代表(biao),具備寬(kuan)禁帶、高(gao)擊穿(chuan)場強、高(gao)熱(re)導率(lv)和(he)(he)高(gao)峰值電子(zi)漂(piao)移速度等優質性能。因此,GaN材(cai)料(liao)(liao)可以很好地滿足耐高(gao)溫、高(gao)頻率(lv)和(he)(he)功率(lv)大(da)(da)的(de)工(gong)作(zuo)要求,GaN功率(lv)晶體(ti)(ti)(ti)管一直(zhi)是L和(he)(he)S波段雷達系(xi)(xi)統(tong)中(zhong)線性和(he)(he)壓縮功率(lv)放大(da)(da)器的(de)有(you)源元件(jian)。Gan功率(lv)晶體(ti)(ti)(ti)管可用作(zuo)航空電子(zi)、商(shang)業(ye)服務、工(gong)業(ye)生產、醫療設備和(he)(he)國防(fang)軍事用途的(de)電路和(he)(he)系(xi)(xi)統(tong)中(zhong)的(de)各種應用。它們(men)都通過寬(kuan)帶gap GaN半導體材料(liao)的作用,在小封裝中產生高(gao)功(gong)率密度(du)和高(gao)輸出功(gong)率電平的RF/微波(bo)晶體管

UMS分米(mi)波帶來基(ji)本概念(nian)ASIC或目(mu)錄格式好產品(pin)(pin)的(de)(de)全(quan)個方面市場(chang)價,主(zhu)耍基(ji)本概念(nian)集團公(gong)司內部(bu)的(de)(de)III-V高技(ji)術,并提(ti)供了全(quan)方便的(de)(de)協議書精準服務,使雇主(zhu)能隨便構建(jian)自個的(de)(de)品(pin)(pin)牌滿足預案(an)。UMS直徑(jing)波的(de)(de)其他總(zong)目(mu)錄護膚品(pin)(pin)從DC到100GHz都為GaAs、Gan和(he)SiGe枝術,涵蓋敢達200W的(de)(de)工作電壓(ya)增(zeng)加(jia)器、攪拌數據信息用途、低好噪聲源增(zeng)加(jia)器和(he)完整詳細的(de)(de)收(shou)發員器設計(ji)。UMS食品(pin)(pin)以注塑模(mo)具的(de)(de)結構供給,但一般以多IC芯片控制(zhi)模(mo)塊的(de)(de)結構打包封裝。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


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