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更新時段:2022-04-13 16:54:30 搜素:964
GaN材(cai)料(liao)(liao)是第三代半導體(ti)(ti)(ti)的(de)典(dian)型代表(biao),具備寬(kuan)禁帶、高(gao)擊穿(chuan)場強、高(gao)熱(re)導率(lv)和(he)(he)高(gao)峰值電子(zi)漂(piao)移速度等優質性能。因此,GaN材(cai)料(liao)(liao)可以很好地滿足耐高(gao)溫、高(gao)頻率(lv)和(he)(he)功率(lv)大(da)(da)的(de)工(gong)作(zuo)要求,GaN功率(lv)晶體(ti)(ti)(ti)管一直(zhi)是L和(he)(he)S波段雷達系(xi)(xi)統(tong)中(zhong)線性和(he)(he)壓縮功率(lv)放大(da)(da)器的(de)有(you)源元件(jian)。Gan功率(lv)晶體(ti)(ti)(ti)管可用作(zuo)航空電子(zi)、商(shang)業(ye)服務、工(gong)業(ye)生產、醫療設備和(he)(he)國防(fang)軍事用途的(de)電路和(he)(he)系(xi)(xi)統(tong)中(zhong)的(de)各種應用。它們(men)都通過寬(kuan)帶gap GaN半導體材料(liao)的作用,在小封裝中產生高(gao)功(gong)率密度(du)和高(gao)輸出功(gong)率電平的RF/微波(bo)晶體管
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Reference | RF Bandwidth (GHz) | Small signal Gain | Power | Associated Gain | PAE | DC Bias | Case | |
min | max | |||||||
CHZ180AaSEB | 1.2 | 1.4 | 20 | 200 | >14 | 52 | VDS 45V @ ID_Q 1.3A | Ceramic Metal Flange |
CHZ015AaQEG | 1.2 | 1.4 | 17.2 | 15 | > 14 | > 55 | VDS 45V@ID_Q 100mA | QFN Plastic package |
CHZ8012-QJA | 2.6 | 3.4 | 16.5 | 12 | 11 | 55 | VDS 30V @ ID_Q 180mA | QFN Plastic package |
CHZ9012-QFA | 2.7 | 3.4 | 16 | 65 | 12 | 55 | VDS 30V@ID_Q 800mA | QFN Plastic package |