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Teledyne防務智能電子GaN帶寬縮放器

公布的(de)日期：2022-06-15 16:38:22 ; 查看：1385

氮化鎵(GaN)效率半導體設備高使用軟件為增加rf射頻/紅外光輸出功率增加器性給出了許許多多貢獻獎。利于減掉元元器材封裝的附生元器材封裝，使用的更短的柵極規格和更高的的額定電壓的頻率，GaN單晶體管具備了高些的輸出電壓工作功率、更寬的網絡帶寬和更加迅速的交流電源開關電源開關微波射頻錯誤率。

跟隨著以GaN金(jin)屬材質(zhi)為代(dai)(dai)表(biao)會的第四代(dai)(dai)半導體(ti)技術元器的出(chu)現，GaN HEMT是由于其寬頻帶寬度隙而頗受特別關注，高導熱性、高電壓擊穿場強和高閥值智能電子轉意效率。應用場景GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。

蘇(su)州(zhou)市立維創(chuang)展自動化是(shi)Teledyne防(fang)務電子(zi)為(wei)了滿足(zu)電子(zi)時代發展的(de)需(xu)求，的(de)經售(shou)商(shang)，提(ti)拱Teledyne防(fang)務光電子(zi)類(lei)產(chan)品包含LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防(fang)務電子(zi)產(chan)品的(de)線可以寬(kuan)頻帶寬(kuan)度、窄(zhai)帶、單脈(mo)沖增加器，率1MHz~220GHz，工率mW~10kW，優勢與劣勢校園營銷(xiao)渠(qu)道提(ti)拱Teledyne防(fang)務智能電子(zi)訂購，邀請咨詢公司(si)。

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Teledyne防務電子.png

Model	Frequency Range MHz	Gain dB Typ.	Noise Figure dB Typ.	P1dB dBm Typ.	P4dB dBm Typ.	P4dB Watts Typ.	IP3/IP2/Pout dBm Typ.	Preamp D.C. Volts Nom	Preamp D.C. mA Max.	D.C. Volt Nom	Amps Q/@P3dB Typ.
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS
AVP598	50-700	16.5	2.5	38	43.2	20.9	50/64/40	N/A	N/A	28	0.85/1.5
AVP514	50-700	40	3.7*	38	43.2	20.9	50/62/40	12	230	28	1.2/2.3
AVP2515	600-2600	17	4.5	35	41	12.6	48/50/37	N/A	N/A	28	0.85/1.50
AVP2524	600-2600	41	4.5	35	41	12.6	47/48/37	12	185	28	1.25/1.9
AVP2030	500-2400	16	3.7	39	44	25.1	53/65/40	N/A	N/A	28	0.85/2.6
AVP2034	500-2400	40	3.7	39	44	25.1	52/62/40	12	200	28	1.2/3.2
AVP2050	900-2000	14	4	42	48	63.1	55/68/43	N/A	N/A	28	1.6/5.50
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS
A2CP2595	20-500	24	3	34	36.2	4.2	45/58/27	12	185	28	0.39/0.47
A2CP2595	500-2500	24	3	32.5	34	2.5	40/56/27	12	185	28	0.39/0.47
A2CP2596	20-500	24	4.8	36.5	37.5	5.6	8/52/23	15	335	28	0.53/0.70
A2CP2596	500-2500	24	4.3	34.5	37.5	5.6	42/48/23	15	335	28	0.53/0.70

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