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CREE微波射頻電率 GaN HEMT

發(fa)布的事件:2022-07-11 17:01:02     預覽:1062

CREErf射頻耗油率CGH40006是前所未現的;氮化鎵(GaN)高電子元件元件轉化率晶胞管(HEMT)。CREE頻射工率CGH40006;從28V輸出功率軌日常運轉;展示專用型型;最主要的代替各方面各種頻射和徽波廣泛應用的移動寬帶網處理方案范文。CREE微波射頻瓦數GaNHEMT展示 更高生產率;高增益控制和聯通寬帶互聯網寬系統;使CGH40006當作線性網絡和擠壓電功率增加電線的非常現實主義者選澤。CREErf射頻電機功率GaNHEMT挑選焊接加工藥Pill封裝的方式的方式和3-mmx3-mm;的表面貼裝;雙平扁無高壓導線封裝類型類型。

特證

高達獨角獸6GHz的(de)超控

2.0GHz時13dB小數(shu)字信號增益(yi)值(zhi)值(zhi)

6.0GHz時11dB小信息增加收益值(zhi)

PIN=32dBm時明顯數(shu)值(zhi)8W

28伏操縱

運用

2路自然(ran)人調頻車載收音機

帶寬拖動器;

蜂窩前提場地設施(shi)構建;

測評裝備;

ClassA;AB;核心代替OFDM的輸出(chu)功率變大器;W-CDMA;EDGE;CDMA波型(xing)

東莞 市(shi)立維創展自(zi)動化是CREE的(de)供應商商,CREE產品包涵:發亮(liang)(liang)肖特(te)(te)基整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)(liu)整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)級管(guan)(guan)處(chu)理(li)芯片(pian),照明工作發亮(liang)(liang)肖特(te)(te)基整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)(liu)整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)級管(guan)(guan),背光發亮(liang)(liang)肖特(te)(te)基整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)(liu)整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)級管(guan)(guan),工作電(dian)壓旋(xuan)鈕元器件封裝(zhuang),有線電(dian)聲(sheng)音(yin)頻率設施裝(zhuang)置(zhi)和有線電(dian)設施裝(zhuang)置(zhi)的(de)發亮(liang)(liang)肖特(te)(te)基整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)(liu)整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)(liu)二(er)(er)級管(guan)(guan)。CREE得益于長處(chu)的(de)生產平臺,長期性具有庫存管(guan)(guan)理(li),以滿足需(xu)要(yao)中國(guo)大市(shi)場上的(de)需(xu)要(yao)量(liang),追捧咨詢公司(si)。

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 CREE.png

產品

最(zui)低

頻(pin)率

主要

頻(pin)次

最高值的輸出電功(gong)率

獲取

吸收率

運轉相電壓

形勢(shi)

包裝機款式(shi)

CGH40006S-AMP1

DC

6GHz

6W

>11 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGH40006P-AMP

2GHz

6GHz

6W

>11 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Pill

CGH40006S

DC

6GHz

6W

>11 dB

65%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Plastic

CGH40006P

DC

6GHz

6W

>11 dB

65%

28 V

Packaged Discrete Transistor

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