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C波長GaN MMIC 功效圖像電壓放大器CMPA0060002 CREE

發布的時:2022-07-14 16:41:47     瀏覽記錄:904

CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標;包括更高電壓擊穿;更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還保證(zheng)更高(gao)功率密度和更寬的帶寬。C波段GaN MMIC功率(lv)放大(da)器CMPA0060002CREE選(xuan)用分布(bu)式(行波)放大(da)器設(she)計方法;能夠在極小的(de)空間內完成(cheng)極寬的(de)帶寬。保證裸片(pian)和具有(you)銅鎢熱管(guan)散熱器的(de)旋入式封裝形式。

CREE的C頻(pin)譜GaN MMIC瓦數(shu)調(diao)大器(qi)CMPA0060002有著2-W;20-MHz-6000-MHz;GaN MMIC工作(zuo)功率(lv)放(fang)小器(qi)。

CREE.png

有特點

17dB小信息增益控制值

3W精品PSAT

特殊(shu)電阻獨角獸高達28V

高電壓值擊穿電壓

高溫高壓度使用

運用

加寬帶變大器

網洛光纖寬帶驅動程序器

測量生產設備

EMC調小器能夠器

CREE(科(ke)銳)揭牌于(yu)1987年(nian),CREE科(ke)銳滿足30多(duo)年(nian)后的(de)(de)帶寬GAP原料料和(he)(he)改革創新(xin)產品設(she)備,CREE科(ke)銳是一種個系(xi)統(tong)的(de)(de)制作公司合作火伴,按(an)照(zhao)頻(pin)射的(de)(de)各種需求,CREE科(ke)銳為行(xing)(xing)同行(xing)(xing)業新(xin)技術領(ling)先于(yu)的(de)(de)系(xi)統(tong)主設(she)備出(chu)示(shi)更強的(de)(de)工率和(he)(he)更低的(de)(de)功(gong)(gong)效耗損。CREE科(ke)銳由(you)最起(qi)的(de)(de)GaN材料LED商品高技術智領(ling)全社會,到紅(hong)外光頻(pin)射與毫米(mm)波心(xin)片商品,CREE科(ke)銳于(yu)2017年(nian)破乳出(chu)微波加熱頻(pin)射該品牌Wolfspeed,以(yi)寬帶網(wang)、大(da)電機功(gong)(gong)率變(bian)小器廠品為獨具(ju)特色。

南京(jing)市(shi)立維創展科學(xue)是CREE的(de)代理(li)商(shang)商(shang),收獲CREE紅(hong)外(wai)光電(dian)子元(yuan)器件勝機要貨分銷(xiao)渠道,并長年貨源(yuan)外(wai)盤(pan),以期中(zhong)華市(shi)場的(de)要求(qiu)。

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Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CMPA0060002F1

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

18 dB

25%

28 V

Packaged MMIC

Flange

CMPA0060002D

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

17 dB

30%

28 V

MMIC Bare Die

Die

CMPA0060002F

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

17 dB

23%

28 V

Packaged MMIC

Flange

CMPA0060002F-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

17 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Flange

CMPA0060002F1-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

18 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Flange


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