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Ck線CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT存儲芯片CREE

公布時(shi)間段:2022-07-20 16:36:43     訪問 :889

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供(gong)優質的高(gao)頻率(lv)高效(xiao)率的特性(xing)。CREECGHV1J006D-GP4特別適(shi)合在40V和(he)高擊穿電壓(ya)下作業在10MHz至18GHz的各種技術(shu)應(ying)用。

特證

17dB典型(xing)的(de)。10GHz時(shi)的(de)小移動信號增加收(shou)益(yi)值

60%類型值。10GHz時(shi)的PAE

6W典型的Psat

40伏把控(kong)

高至18GHz的控制

應該用

定位無線通訊

PTP聯系接連(lian)

水域預警雷達

帆船預警雷達

港口船運交通(tong)出行(xing)業(ye)務

網絡帶寬擴大器

提高率率放縮器

CREE.png

CREE(科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui))開辦(ban)于(yu)(yu)1987年,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)應具(ju)30幾年的移動寬帶GAP原料料和革(ge)新服務,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)就是一個完整(zheng)篇(pian)的設計的概念協議粉絲,符合(he)國家頻(pin)(pin)射(she)(she)的消費需求,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)為(wei)行(xing)同行(xing)業技術設施最前沿的工具(ju)設施供應更強的熱效(xiao)率和更低的工作自然損耗。CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)由最逐(zhu)漸開始的GaN材料LED貨品(pin)技能最前沿全生活,到紅外光頻(pin)(pin)射(she)(she)與分(fen)米波(bo)心片貨品(pin),CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)于(yu)(yu)2017年剝(bo)離 出微波(bo)rf射(she)(she)頻(pin)(pin)rf射(she)(she)頻(pin)(pin)加(jia)盟品(pin)牌(pai)Wolfspeed,以移動寬帶、大效(xiao)率放縮(suo)器車輛為(wei)獨(du)具(ju)特(te)色。

杭(hang)州市(shi)立維創展創新科(ke)技是(shi)CREE的供應商(shang)(shang)商(shang)(shang),收(shou)獲CREE徽波配件(jian)優(you)勢要貨校園營(ying)銷渠道,并(bing)短(duan)期存儲(chu)現貨平臺,以備不時(shi)之(zhi)需(xu)中市(shi)場中要求。

寶貝詳情認識CREE微波加熱射頻微波加熱請雙擊://dev.www.zhixianguangzhou.com.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J006D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

6 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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