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C波長氮化鎵 HEMT CG2H80015D CREE

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Wolfspeed的CG2H80015D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能參數;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子偏移速度;和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT提供(gong)更高(gao)的(de)功率因素和更寬的(de)帶寬。

功能

15W典型的(de)PSAT

28伏操縱

高擊穿電壓場強

室溫遠程操作

獨角獸高(gao)達8GHz的把控

轉化率高

運用

2路自身cd機

帶寬放小器

蜂窩基礎理論設計

測試軟件主設備

ClassA;AB;包括適(shi)用OFDM的(de)線性網絡圖像運(yun)放電路;W-CDMA;邊沿;CDMA波型(xing)

CREE(科(ke)(ke)銳(rui))申請(qing)加(jia)入于1987年(nian),CREE科(ke)(ke)銳(rui)符合30豐富的寬(kuan)帶網(wang)GAP原料(liao)(liao)料(liao)(liao)和(he)科(ke)(ke)學創新(xin)企業(ye)產品,CREE科(ke)(ke)銳(rui)都是(shi)個完好的定制媒(mei)體(ti)合作朋(peng)友(you)們,復合頻(pin)射的各(ge)種需求,CREE科(ke)(ke)銳(rui)為(wei)行(xing)業(ye)內人士枝(zhi)術(shu)先進的儀器(qi)設配提供了更強的電機功率(lv)和(he)更低的的功能不足。CREE科(ke)(ke)銳(rui)由最(zui)逐(zhu)漸(jian)的GaN基本的材(cai)質材(cai)料(liao)(liao)LED好產品的高技(ji)術(shu)頂尖(jian)全全球各(ge)地,到微(wei)波(bo)rf射頻(pin)rf射頻(pin)與(yu)mm波(bo)電源芯(xin)片好產品的,CREE科(ke)(ke)銳(rui)于2017年(nian)轉移出(chu)微(wei)波(bo)通信頻(pin)射企業(ye)Wolfspeed,以(yi)聯通寬(kuan)帶、大輸出(chu)調大器(qi)廠品為(wei)少數民族特色(se)。

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 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80015D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

15 W

>12 dB

70%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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