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Qorvo的(de)(de)(de)AH212-S8G不是款選用(yong)(yong)成(cheng)本(ben)低的(de)(de)(de)價(jia)表層(ceng)貼(tie)裝芯片封(feng)裝的(de)(de)(de)高動(dong)態展(zhan)(zhan)示位置(zhi)有級驅動(dong)軟(ruan)件放縮器。InGaP / GaAs HBT可為幾種窄帶(dai)調諧利用(yong)(yong)控(kong)制電(dian)(dian)路展(zhan)(zhan)示優勝(sheng)的(de)(de)(de)穩定性(xing)，最(zui)好(hao)相當于+46 dBm的(de)(de)(de)OIP3和+30 dBm的(de)(de)(de)縮減1 dB熱效率(lv)。該電(dian)(dian)子器件用(yong)(yong)于合適行業中要求(qiu)的(de)(de)(de)SMT無鉛/合適RoHS要求(qiu)的(de)(de)(de)SOIC-8封(feng)裝形式(shi)。說明AH212-EG始終處于4x5mm DFN裝封的等效區域(yu)。各個(ge)電(dian)子器件均(jun)所經100％RF和(he)DC檢查。

該產品的可當為曲線win7驅(qu)動(dong)變(bian)小器，適用于想要高(gao)曲線度和高(gao)額定功(gong)率的各項(xiang)現在和下第一(yi)代(dai)遠程能力，如GPRS，GSM，CDMA，W-CDMA，TD-SCDMA和WiBro。組織(zhi)結構有源(yuan)偏置限制AH212-S8G在所有溫濕度范圍內(nei)內(nei)堅持(chi)高(gao)線型度，并可以在+5 V電源(yuan)模塊下的工作。

AH212-S8G關鍵本質特征

• 1800至2700 MHz
• 增益控制24.7音貝
• + 30dBm P1dB
• +46 dBm打出IP3
• + 5V單正電源線
• 內外相互自以為是
• 無鉛/符合國家RoHS規則
• SOIC-8和4 x 5mm DFN裝封

AH212-S8G典型示范應該用