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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

最中，你竭盡全力的作品促使無源GaN混頻器來設計的在填寫三階交調截點（IIP3）與網上震蕩器（LO）驅動軟件安裝器的比重因素以上各種砷化鎵（GaAs）無源混頻器來設計的 - a品性質數定制網站MMIC已經打造波形工作速度。從S光波到K光波（2 GHz到19 GHz），許多當下無源GaN混頻器展現出的IIP3羅馬數字遠要大于30 dBm，LO驅動軟件安裝電平約為20 dBm，波形工作速度要大于10 dB。

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