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?CGHV40050 L股票波段工作電壓增加器CREE

發表周期:2023-02-10 16:47:52     閱讀:774

Wolfspeed的CGHV40050是無可挑剔的,氮化鎵高電子器材轉遷率晶狀體管(HEMT)。CGHV40050采用50伏導軌,可以提供公用型網絡帶寬緩解策劃方案,具體適宜于rf射頻和微波加熱技術工藝應用軟件。

GaN HEMTs有高(gao)效益率,高(gao)增加收益和寬(kuan)頻寬(kuan)功(gong)能,使CGHV40050加入了(le)直線和壓縮成增加電路系(xi)統的比較好(hao)化挑選(xuan)。CGHV40050晶(jing)狀體管便(bian)用2輸電線法蘭片盤和藥丸(wan)式封(feng)口(kou)。

特色

高至4GHz的實操

77W常見性傳(chuan)輸工作電壓

1.8GHz時的17.5dB小信息收獲值

0.8–2.0GHz的應用軟(ruan)件電(dian)源線電(dian)路原理

PSAT追(zhui)訴時效率是53%

50伏便用

能力利用

窄帶高水準平率

L和(he)S光波

高至4GHz多倍頻程帶寬變小(xiao)器

CREE(科(ke)(ke)(ke)銳(rui))注冊成(cheng)立(li)于1987年,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)擁有(you)30多年以的(de)(de)移(yi)動寬帶GAP原料料和科(ke)(ke)(ke)技(ji)創新(xin)的(de)(de)產(chan)(chan)品(pin),CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)是個(ge)完整詳細的(de)(de)設(she)計制作公司合作好朋友,滿(man)足微波(bo)射頻(pin)的(de)(de)供(gong)給,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)為行行業(ye)內技(ji)術一(yi)流的(de)(de)工(gong)具(ju)機(ji)械提(ti)供(gong)數據(ju)更強的(de)(de)功(gong)效和更低的(de)(de)系統自然損耗(hao)。CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)由最(zui)剛剛開始的(de)(de)GaN基本材料LED成(cheng)品(pin)的(de)(de)技(ji)術領先地位全市場,到徽波(bo)頻(pin)射與公厘波(bo)單(dan)片機(ji)芯片成(cheng)品(pin),CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)于2017年離心(xin)分離出微波(bo)微波(bo)射頻(pin)微波(bo)射頻(pin)產(chan)(chan)品(pin)品(pin)牌Wolfspeed,以寬帶網、大(da)效率圖像(xiang)放大(da)器電路新(xin)產(chan)(chan)品(pin)為特(te)色文化。

武漢(han)市(shi)立維創展科(ke)技信(xin)息是CREE的銷(xiao)售商,存在CREE紅外光(guang)電子元件(jian)優勢與劣勢交(jiao)貨銷(xiao)售渠道,并(bing)短(duan)期銷(xiao)量現(xian)貨交(jiao)易,僅(jin)作國股票市(shi)場所需。

情況要了解CREErf射頻微波加熱請單擊://dev.www.zhixianguangzhou.com.cn/brand/35.html

CGHV40050.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV40050P

GaN on SiC

DC

4 GHz

50 W

16 dB

53%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV40050F-AMP

GaN on SiC

0.8 GHz

2 GHz

50 W

16 dB

53%

50 V

Evaluation Board

Flange

CGHV40050F

GaN on SiC

DC

4 GHz

50 W

16 dB

53%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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