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?PTVA120501EA-V1高電率放縮器CREE

分享耗時(shi):2023-02-16 16:39:32     搜素(su):735

CREE PTVA120501EA的LDMOSFET結構設計(ji)適(shi)用(yong)(yong)于1200至(zhi)1400MHz頻率段的功率放大器應用(yong)(yong)領域。特(te)性包括高(gao)增益和帶(dai)螺母固定法蘭盤的熱高(gao)性能封(feng)裝形式。PTVA120501EA-V1選用(yong)(yong)Wolfspeed領先的LDMOS工藝(yi)技術;PTVA120501EA-V1提供(gong)優(you)異的熱穩定性和優(you)異的安全可靠(kao)性。

CREE.png

特征描述

移動寬帶搜索兼容

高增益值和高效用

最(zui)主要表現(xian)的脈寬CW耐熱性統計指標(biao);1200–1400MHz

50伏

300ms脈沖造成的持續不斷時間段

10%pwm占空比

P1dB時(shi)的所在電功率54W

便捷率55%

增益控制值16dB

整合化(hua)ESD保養(yang)

低傳熱系數

無鉛(qian)并合乎RoHS準則歸定

用研究方向

1200至1400MHz工作頻(pin)率段的(de)額定(ding)功(gong)率變小器(qi);統計(ji)外置天線

CREE(科(ke)銳(rui)(rui)(rui)(rui))申請加入(ru)于1987年,CREE科(ke)銳(rui)(rui)(rui)(rui)有30幾(ji)年的(de)(de)寬帶網(wang)絡GAP原的(de)(de)材料料和(he)企業創新廠品(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)(rui)(rui)是(shi)一個個全版的(de)(de)設(she)汁合作項目伴(ban)侶,遵循頻(pin)射(she)的(de)(de)市場(chang)需求(qiu),CREE科(ke)銳(rui)(rui)(rui)(rui)為(wei)行業界(jie)工藝(yi)進取的(de)(de)機械(xie)(xie)機械(xie)(xie)加工設(she)備提(ti)高更強的(de)(de)工作電壓和(he)更低的(de)(de)特點(dian)損耗率(lv)。CREE科(ke)銳(rui)(rui)(rui)(rui)由最進行的(de)(de)GaN基本材料LED護(hu)膚品(pin)技術領(ling)跑(pao)全球(qiu)各地級,到紅外光(guang)頻(pin)射(she)與亳米(mi)波(bo)處理芯片護(hu)膚品(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)(rui)(rui)于2017年分開出(chu)微波(bo)加熱微波(bo)射(she)頻(pin)國產(chan)品(pin)牌(pai)Wolfspeed,以聯通(tong)寬帶、大(da)輸出(chu)增(zeng)加器新產(chan)品(pin)為(wei)代(dai)表性。

廣州 市立維創展科技產業是CREE的代(dai)理商(shang)商(shang),存在CREE徽波功率器件競爭優勢供應商(shang)流通渠(qu)道,并經常庫存量現(xian)貨黃金,僅(jin)作我國股票市場(chang)各種需求。

詳細信息介紹CREErf射頻紅外光請點開://dev.www.zhixianguangzhou.com.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

PTVA120501EA-V1

LDMOS

1.2 GHz

1.4 GHz

50 W

17 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down


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