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CREE的GTVA104001FA是款400瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體(ti)管(HEMT)，適用于960至1215MHz頻率段。GTVA104001FA-V1具(ju)備輸入適配性(xing)能；高效率;及其具(ju)有無耳法蘭盤的熱高性(xing)能表面(mian)貼裝封裝。

特證

GaN on SiC HEMT技(ji)巧軟件應用

光纖(xian)寬帶里面進(jin)入配適(shi)

較為常(chang)見的(de)單脈沖信號(hao)CW性能參數；960–1215MHz；50V

傷害馬力=410W

吸引(yin)客源速度=70%

收獲值(zhi)=19dB

電脈沖頻次=128ms

pwm占空比=10%

無(wu)鉛并(bing)考(kao)慮RoHS細(xi)則設定

選用

L股票(piao)波段統(tong)計縮放器

CREE（科(ke)(ke)(ke)銳）申請(qing)加入于(yu)1987年(nian)，CREE科(ke)(ke)(ke)銳具備(bei)著30十多年(nian)的帶寬(kuan)(kuan)GAP原料(liao)(liao)料(liao)(liao)和(he)技術創新企(qi)業產(chan)品(pin)(pin)(pin)，CREE科(ke)(ke)(ke)銳就是(shi)個完好的結(jie)構設(she)(she)計進行(xing)合(he)(he)作伴侶，合(he)(he)適rf射頻的要，CREE科(ke)(ke)(ke)銳為(wei)行(xing)業界(jie)枝術先進的機械設(she)(she)施(shi)(shi)設(she)(she)施(shi)(shi)帶來了(le)更(geng)強的電(dian)功率和(he)更(geng)低(di)的功效消耗。CREE科(ke)(ke)(ke)銳由(you)最現在開始的GaN基面材料(liao)(liao)LED的產(chan)品(pin)(pin)(pin)設(she)(she)備(bei)枝術中國(guo)領先全(quan)中國(guo)，到徽(hui)波(bo)微波(bo)射頻與分(fen)(fen)米波(bo)基帶芯片的產(chan)品(pin)(pin)(pin)設(she)(she)備(bei)，CREE科(ke)(ke)(ke)銳于(yu)2017年(nian)分(fen)(fen)割出紅外光(guang)頻射產(chan)品(pin)(pin)(pin)品(pin)(pin)(pin)牌Wolfspeed，以聯通寬(kuan)(kuan)帶、大電(dian)率放縮器食品(pin)(pin)(pin)為(wei)優點。

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