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?SemiGen肖特基場效應管

分享日期(qi):2023-05-29 17:00:04     搜素:1056

SemiGen的硅肖特基二級管長期以來于40GHz左右技巧的廣泛利用實際需求設計。特別操作技巧利用不同合金金屬材質實施方案為低、采和高阻擋技巧廣泛利用能提供性勝機。之后數據是兼備從嚴把控電解電容的低阻值電子元器件大家庭中的一員-二極管,是可以推動較高學習效率。SemiGen肖特基電感低交流信息耗用和比較好的TSS而使電子元器件大家庭中的一員-二極管變成了了的工作頻段從Sk線到Ka頻譜的發現器/混頻器技術操作下列關于解調器、低最大功率約束器和加速度度啟閉的絕佳取舍。

特點:

多結(jie)加工(gong)處理(li)處理(li)器

低1/F的噪(zao)音

總結電感

技術應用:

適宜于混頻器、發現器、倍(bei)頻器協商調器。

SemiGen是新西蘭1家(jia)晶(jing)圓級rf射頻(pin)電子元件競(jing)爭力派創造商,從晶(jing)圓到芯片(pian)封裝電子元件, 品(pin)項很(hen)多,從航天工程級MIL-PRF 38534到軍用裝備(bei)MIL-PRF 19500、750和883,SemiGen非常重視(shi)于給出(chu)優質的(de)產(chan)品(pin)品(pin)質和可信度性。

武漢市立維創展科持不多工廠,品牌授權代理加(jia)盟(meng)于中區域內市場銷售(shou)SemiGen設備,并供給售(shou)前(qian)技術(shu)性可(ke)(ke)以支(zhi)持和售(shou)后維修點技術(shu)性可(ke)(ke)以支(zhi)持服務質量。

詳細信息要了(le)解SemiGen請鼠標(biao)點擊://dev.www.zhixianguangzhou.com.cn/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

0.280

0.20

20.0

-52

SLB102

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB103

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB104

3.0

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0.15

20.0

-55

SLB105

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB106

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB107

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

3.0

0.300

0.14

20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

4.0

0.250

0.20

20.0

-55

SLB113

4.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB114

4.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

0.320

0.15

0.35

-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SMB200

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20.0

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3.0

0.400

0.20

20.0

-50

SMB202

3.0

0.400

0.12

20.0

-48

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3.0

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0.14

20.0

-45

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4.0

0.425

0.15

20.0

-52

SMB205

4.0

0.425

0.15

20.0

-50

SMB206

4.0

0.425

0.12

20.0

-48

SMB207

4.0

0.425

0.14

20.0

-45

SMB208

4.0

0.450

0.14

20.0

-52

SMB209

4.0

0.450

0.15

20.0

-50

SMB210

5.0

0.450

0.14

20.0

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SMB211

5.0

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20.0

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SMB212

5.0

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20.0

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SMB213

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SMB214

5.0

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20.0

-48

SMB215

5.0

0.475

0.15

20.0

-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

0.500

0.14

25.0

-52

SHB301

5.0

0.500

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25.0

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SHB302

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0.500

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SHB303

5.0

0.500

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SHB304

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0.15

25

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SHB305

5.0

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SHB306

5.0

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SHB307

5.0

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SHB308

6.0

0.550

0.14

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SHB309

6.0

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25.0

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6.0

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-48

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-48

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-42

SHB315

6.0

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-40


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