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?GTVA12600統計變大器CREE

推(tui)送準(zhun)確時間(jian):2023-06-08 16:49:38     挑選:1189

CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高(gao)電子(zi)遷移率晶(jing)體(ti)管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高(gao)效化;和熱強化包。

結構特征

輸入兼容性測試

熟(shu)悉的單脈沖信號(hao)CW穩(wen)定性(AB類);1200MHz;50伏(fu);300μs電磁速度;10%pwm占空比;工(gong)作輸出(chu)工(gong)率(P3dB)=600W;引(yin)流術速度=65%;收獲值=18dB

能(neng)否在(zai)單脈(mo)(mo)沖造成的區域下為600W內(nei)容(rong)輸出(chu)熱效率承載過重,這個是需(xu)要(yao)注(zhu)意(yi)的,液(ye)晶屏要(yao)控(kong)制在(zai)適合的數量內(nei)10:1電動機扭矩失諧(xie)(其他(ta)相(xiang)位(wei)差):300μs脈(mo)(mo)沖發生器速度;10%pwm占空(kong)比;VDD=50V;IDQ=100mA

摸特建模1C類(只(zhi)能根據AnSI/ESDA/JEDECJS-001)

無鉛并(bing)適(shi)用RoHS標準的歸定(ding)

技術應用

雷達天線變大器

CREE(科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui))注冊于1987年,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)兼具30十多年的帶寬GAP原料(liao)料(liao)和去創新企業(ye)產(chan)品,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)都是(shi)個(ge)詳(xiang)盡的設計構(gou)思媒體合作好伙伴,合乎微波(bo)射頻(pin)的要(yao),CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)為行在(zai)業(ye)內(nei)技巧專業(ye)的器(qi)(qi)(qi)(qi)機儀器(qi)(qi)(qi)(qi)供(gong)應(ying)更強的最大功(gong)率和更低(di)的功(gong)能模塊耗損。CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)由(you)最始于的GaN基本的材質材料(liao)LED設備技能最前沿全宇宙,到(dao)微波(bo)頻(pin)射頻(pin)射與公(gong)分(fen)波(bo)電子器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)設備,CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)于2017年分(fen)離處理出微波(bo)微波(bo)射頻(pin)微波(bo)射頻(pin)知名品牌Wolfspeed,以寬帶網絡、大最最大功(gong)率放縮器(qi)(qi)(qi)(qi)設備為特色化(hua)。

長沙市(shi)市(shi)立維(wei)創(chuang)展(zhan)科(ke)技產業是CREE的供應商商,開發CREE紅外光(guang)元器優越交貨業務,并繼續存儲外盤,以防中國國家茶葉市(shi)場意愿。

詳情頁要了解CREE紅外光射頻紅外光請鼠標單擊://dev.www.zhixianguangzhou.com.cn/brand/35.html

GTVA12600.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA126001FC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Earless

GTVA126001EC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down


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