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CREE的(de)CGHV96130F是氫(qing)氟酸(suan)處理硅(SiC)基面材(cai)料上的(de)氮化鎵(GaN)高移動率(lv)尖晶(jing)石(shi)管(HEMT)與(yu)的(de)技術差距(ju)，CGHV96130F企業內部改變(bian)(IM)FET具有(you)著出(chu)眾的(de)額定(ding)功率(lv)擴展學習效率(lv)。與(yu)砷(shen)化鎵相對(dui)比，GaN都具有(you)較(jiao)好(hao)的(de)安全(quan)性能(neng)；例如更為重要的(de)電壓擊穿場強(qiang)；更為重要的(de)飽和點(dian)電子設備漂(piao)移轉速和更為重要的(de)熱導率(lv)。與(yu)GaAs結晶(jing)體管差距(ju)，GaN HEMT還都具有較(jiao)高的(de)電(dian)率密度(du)單(dan)位和更寬的(de)帶寬起步。CGHV96130F實用五金/陶瓷廠家法(fa)蘭部(bu)封(feng)裝類型(xing)可以(yi)確保最加的(de)電(dian)器和熱安全穩相關性。

共同點

166WPOUT（主(zhu)要值(zhi)）

7.5dB熱效(xiao)率增益值值

42%非常(chang)典型PAE

50Ω室內適(shi)用

<0.3dB工作(zuo)效率下跌

設備規模

文章的(de)話：130瓦(wa)；8.4-9.6GHz；50Ω；包括用在(zai)X中(zhong)波段聲(sheng)納運用的(de)復制粘(zhan)貼/輸(shu)出(chu)的(de)配適GaNHEMT

是較為小的概率(MHz)：8400

最(zui)主要次數(MHz)：9600

最高的值讀取額定功率(W)：130

率(lv)（％）：42

額(e)定(ding)值電壓降(V)：40