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自(zi)偏置(zhi)低噪(zao)聲(sheng)放大(da)(da)器主(zhu)要針(zhen)對目前(qian)自(zi)偏置(zhi)放大(da)(da)器的(de)噪(zao)音和增益(yi)頻(pin)帶(dai)寬(kuan)度無法滿足各種(zhong)的(de)問題(ti)。主(zhu)要包括兩(liang)級功率放大(da)(da)電(dian)(dian)(dian)路，第一級功率放大(da)(da)電(dian)(dian)(dian)路由功率電(dian)(dian)(dian)感L2組(zu)成、NMOS管(guan)M1、PMOS管(guan)M2、負反饋電(dian)(dian)(dian)阻(zu)值R1與負載電(dian)(dian)(dian)源電(dian)(dian)(dian)路Z1相接；第一級(ji)功率(lv)(lv)放大電(dian)路的輸出端連接第二(er)(er)級(ji)功率(lv)(lv)放大電(dian)路，第二(er)(er)級(ji)功率(lv)(lv)放大電(dian)路由共源NMOS管M3和(he)匹(pi)配(pei)電(dian)阻(zu)R2組成。該M1管、M2管和(he)M3管用作提供(gong)電(dian)壓增(zeng)益，負反饋電(dian)阻(zu)值R1和(he)功率(lv)(lv)電(dian)感(gan)L2用作輸入特性阻(zu)抗(kang)，負載電(dian)源電(dian)路Z1拓(tuo)展增(zeng)益頻帶寬度，匹(pi)配(pei)電(dian)阻(zu)R2用作輸出特性阻(zu)抗(kang)。

CHA3666-99F是款兩級自偏置(zhi)寬帶單芯片低噪聲(sheng)放大器(qi)。

CHA3666-99F采用標準PHEMT工藝(yi)技(ji)術：25um柵極長度、穿過襯底的通孔、空(kong)氣橋(qiao)和電子束柵極光刻技(ji)術。

大部分特點

寬帶性能(neng)：6-17GHZ

1.8db噪聲系數

26dbm三階截距點

1db壓縮時的17dbm功率

21db增(zeng)益值(zhi)

低電流電功率

直流電偏置電壓(ya)：Vd=4.0伏@ld=80MA

封裝尺寸1.47x1.47x0.1mm