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CGHV50200F是種特別裝修設計用在高效化氮化鎵（GaN）高電子(zi)遷移率(lv)晶體管（HEMT）；高增益和(he)寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成(cheng)為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率(lv)段(duan)衛(wei)星通訊應用與(yu)超低空。CGHV50200F選用陶(tao)瓷/金屬法(fa)蘭封裝形(xing)式。

有特點

4.4–5.0GHz操(cao)作

180W比(bi)較普遍PSAT

11.5dB較為常見馬力(li)增益控制值

48%普通電原成功率(lv)

50Ω內部的兼容性測(ce)試

app領域

通訊網衛星通訊網

超出余光——BLOS

互流層光電技(ji)術散(san)射通信

的產品規格

講述：200瓦；4400-5000MHz；50Ω復制粘(zhan)貼/輸入自(zi)適應(ying)；氮化鎵高(gao)微電子遷出率結晶體管

較低頻繁 (MHz)：4400

最大(da)幾率(MHz)：5000

是(shi)最高的值讀取熱效率(W)：200

增益值(zhi)值(zhi)(dB)：11.5

工作任(ren)務成功率（％）：33

固定電壓電流(liu)(V)：40

行式：裝(zhuang)封行式分(fen)立尖晶石管

封裝性質性質:法蘭片盤

新技術操作：GaN-on-SiC