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CGHV96050F1是款碳化(hua)硅(gui)(SiC)基材上(shang)的(de)氮(dan)化(hua)鎵(GaN)高電(dian)子遷移(yi)率(lv)晶(jing)體(ti)管(HEMT)。與其它同類(lei)產品(pin)相比(bi)，這(zhe)些GaN內部搭(da)配CGHV96050F1具有(you)(you)卓越(yue)的(de)功率(lv)附帶效率(lv)。與硅(gui)或砷(shen)化(hua)鎵相比(bi)較，GaN具有(you)(you)更加(jia)優異的(de)性能；包含更高的(de)擊穿場強(qiang)；更高的(de)飽(bao)和(he)電(dian)子漂移(yi)效率(lv)和(he)更高的(de)導熱(re)系數。與GaAs晶(jing)體(ti)管相比(bi)較，GaN HEMT還推(tui)出更(geng)高(gao)的功(gong)率(lv)密度和(he)更(geng)寬(kuan)的帶(dai)寬(kuan)。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤(pan)封裝形式(shi)，能夠實現(xian)最好電力設備和(he)熱穩(wen)定性(xing)。

癥狀

7.9–8.4GHz崗位

80WPOUT（主要值）

>13dB工(gong)作電壓(ya)增益控制值

33%典型性平滑PAE

50Ω實物(wu)搭配技巧(qiao)

<0.1dB工率調低

用途各個領域

北斗衛星通訊設備

地面的寬帶網

好產品規格參數

闡述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；插入/打印(yin)輸出結合GaNHEMT

最低(di)的率(MHz)：7900

非常高聲音頻率(lv)(MHz)：8400

最多值內容輸(shu)出熱效(xiao)率(W)：50

增加收益值(dB)：13.0

效(xiao)應（％）：33

額定功(gong)率相電壓(V)：40

狀態(tai)：打(da)包封裝狀態(tai)分立(li)納米(mi)線(xian)管

打(da)包封(feng)裝風(feng)格類目：卡箍(gu)盤

技術性采用：GaN-on-SiC