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CMPA1C1D060D是款炭化硅多晶硅上可根據氮化鎵 (GaN) 高網絡遷徙率硫化鋅管 (HEMT) 的單支紅外光集合電路設計 (MMIC)；CMPA1C1D060D軟件應用0.25 μm柵極的尺寸定制流程。與硅比較較，GaN-on-SiC具備更加的非常好的安全性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；分為最高的擊穿電壓場強；最高的呈現飽和狀態電子廠漂移利用率和最高的傳熱指數。

特殊性

具備 26 dB 小4g信號(hao)增益(yi)值值

60 W 典型的 PSAT

額定(ding)電(dian)流值高(gao)至(zhi) 40 V

高穿透場強

中高溫度遠程控制

操作領域行業

PTP wifi流量

衛星(xing)影(ying)像數據通訊上下行外鏈

食品尺寸規格

陳述：60瓦(wa)；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 瓦(wa)數(shu)拖動器

最小工作(zuo)頻率(lv)(MHz)：12700

更高頻段(duan)(MHz)：13250

較高(gao)值傷害瓦數(shu)(W)：65

收獲(huo)值(dB)：26.0

速度（％）：30

電(dian)機(ji)額(e)定功率(lv)電(dian)流值(V)：40

模式英文(wen)：MMIC 裸片

封裝形式類目：Die

技木(mu)軟件應用：GaN-on-SiC